Infineon IPA60R IPA60R600P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP
About The 5V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon IPA60R IPA60R600P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max
Infineon IPA60R IPA60R600P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPA60R IPA60R600P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP
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Specifications of Infineon IPA60R IPA60R600P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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