Infineon HEXFET IRFU5305PBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 6.1mm
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Infineon HEXFET IRFU5305PBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of Infineon HEXFET IRFU5305PBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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