Onsemi FCH023N65S3L4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4
About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.
onsemi FCH023N65S3L4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 15.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi FCH023N65S3L4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi FCH023N65S3L4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
