Vishay SI1922EDH-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 1,25 W, 6-Pin SOT-363
About The : 0.2mm
Vishay SI1922EDH-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 1,25 W, 6-Pin SOT-363, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-88), Drain-Source-Widerstand max.: 263 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1mm, Länge: 2.2mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI1922EDH-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 1,25 W, 6-Pin SOT-363
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Specifications of Vishay SI1922EDH-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 1,25 W, 6-Pin SOT-363 | |
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