Toshiba TK TK16A60W5,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 40 W, 3-Pin TO-220SIS
About The 7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C
Toshiba TK TK16A60W5,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 40 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 230 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK TK16A60W5,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 40 W, 3-Pin TO-220SIS
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Specifications of Toshiba TK TK16A60W5,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 40 W, 3-Pin TO-220SIS | |
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