Vishay SQ4946AEY-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 7 A 4 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 81 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
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Vishay SQ4946AEY-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 7 A 4 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SQ4946AEY-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 7 A 4 W, 8-Pin SOIC | |
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