Infineon OptiMOS BSZ065N03LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 26 W, 8-Pin TDSON
About The .: 8,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon OptiMOS BSZ065N03LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 26 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 8,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS BSZ065N03LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 26 W, 8-Pin TDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS BSZ065N03LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 26 W, 8-Pin TDSON | |
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