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Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® SQS484CENW-T1_GE3 N-Kanal MOSFET 40 V / 16 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

About The : 0,011 Ω, 0,0095 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® SQS484CENW-T1_GE3 N-Kanal MOSFET 40 V / 16 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W, Drain-Source-Widerstand max

Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® SQS484CENW-T1_GE3 N-Kanal MOSFET 40 V / 16 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W, Drain-Source-Widerstand max.: 0,011 Ω, 0,0095 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V

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Specifications of Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® SQS484CENW-T1_GE3 N-Kanal MOSFET 40 V / 16 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

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Siemens 6AG213 Digitales Ausgangsmodul für ET 200SP Digital OUT, 73 x 15 x 58 mm, Reihe: SIPLUS, MPN: 6AG2132-6BD20-4BA0.

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    Wachendorff HD67xxx GateWay-Bauteil für IO-Link und Modbus TCP Digital IN Gateway Digital OUT, 23 x 107 x 120 mm, MPN: HD67863-A1-2B.

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    2mm.2mm, Breite: 70mm, Tiefe: 130mm, Auslösecharakteristik: Typ H, MPN: 3VA1112-6MH32-0AA0 Siemens SENTRON 3VA1, Leistungsschalter MCCB 3-polig, 125A / Abschaltvermögen 70 kA 690V, L. 76.

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