IXYS HiperFET IXFT60N65X2HV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV
About The : 3.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
IXYS HiperFET IXFT60N65X2HV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV, Drain-Source-Widerstand max.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 16.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET IXFT60N65X2HV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV
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Specifications of IXYS HiperFET IXFT60N65X2HV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV | |
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