Infineon OptiMOS 3 IPA086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 45 A 37,5 W, 3-Pin TO-220 FP
About The : 15,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon OptiMOS 3 IPA086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 45 A 37,5 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max
Infineon OptiMOS 3 IPA086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 45 A 37,5 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 15,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.65mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 3 IPA086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 45 A 37,5 W, 3-Pin TO-220 FP
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Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPA086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 45 A 37,5 W, 3-Pin TO-220 FP | |
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