STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD1NK60-1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.25V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 2.4mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD1NK60-1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD1NK60-1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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