Eaton Bussmann SMD Induktivität, 47 μH 3.13A AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 0125 Gehäuse 12.5mm / ±20%, 100kHz
About The : 81mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: DRA125-470-R.13A AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 0125 Gehäuse 12
Eaton Bussmann SMD Induktivität, 47 μH 3.13A AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 0125 Gehäuse 12.5mm / ±20%, 100kHz, Höhe: 6mm, Abmessungen: 12.5 x 12.5 x 6mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 81mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: DRA125-470-R
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Eaton Bussmann SMD Induktivität, 47 μH 3.13A AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 0125 Gehäuse 12.5mm / ±20%, 100kHz
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Specifications of Eaton Bussmann SMD Induktivität, 47 μH 3.13A AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 0125 Gehäuse 12.5mm / ±20%, 100kHz | |
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