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HARTING Han DD Industrie-Steckverbinder Kontakteinsatz, 108-polig 10A Buchse

About The HARTING Han DD Industrie-Steckverbinder Kontakteinsatz, 108-polig 10A Buchse, Typ: Steckverbindereinsatz, Kontakt-Format: 108P+E, Anzahl der Reihen: 6, Betriebsspannung: 250 V, Gewindegröße: M3 x 10, MPN: 0916108310101

HARTING Han DD Industrie-Steckverbinder Kontakteinsatz, 108-polig 10A Buchse, Typ: Steckverbindereinsatz, Kontakt-Format: 108P+E, Anzahl der Reihen: 6, Betriebsspannung: 250 V, Gewindegröße: M3 x 10, MPN: 0916108310101

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Specifications of HARTING Han DD Industrie-Steckverbinder Kontakteinsatz, 108-polig 10A Buchse

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HARTING Han DD Industrie-Steckverbinder Kontakteinsatz, 108-polig 10A Buchse
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STMicroelectronics Spannungsregler 300mA, 1 Niedrige Abfallspannung SOT-23, 5-Pin, Fest
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  • Spannungsregler
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    • RS PRO Steuerstation Leergehäuse, 2 x Ø 22mm, 100 x 85 x 160mm, Edelstahl, IP66, IP69K

    RS PRO Steuerstation Leergehäuse, 2 x Ø 22mm, 100 x 85 x 160mm, Edelstahl, IP66, IP69K

    RS PRO Steuerstation Leergehäuse, 2 x Ø 22mm, 100 x 85 x 160mm, Edelstahl, IP66, IP69K, Länge: 100mm, Breite: 85mm.

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  • Steuerstation-Gehäuse
  • RS PRO
    • Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 7.5V / 365 mW max, DFN1006BD-2

    Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 7.5V / 365 mW max, DFN1006BD-2

    5V / 365 mW max, DFN1006BD-2, Zenertyp: Universal, MPN: BZX884S-B7V5-QYL.Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 7.

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  • Zener Dioden
  • Nexperia
    • TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 4.3kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 4.3kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 4.3kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: 8-2176397-8.

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  • Passive Bauelemente
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  • TE Connectivity
    • TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 4.3kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 4.3kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    3kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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  • SMD-Widerstände
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