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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Passive Bauelemente
Induktivitäten
SMD-Induktivität
Bourns

Bourns SDR0403 Drosselspule, 0,0068 MH 1.41A Mit Ferrit DR-Kern, 0403 Gehäuse 3.2mm / ±20%, 40MHz

About The 2mm / ±20%, 40MHz, Tiefe: 4mm, Durchmesser: 4.41A mit Ferrit DR-Kern, 0403 Gehäuse 3

Bourns SDR0403 Drosselspule, 0,0068 mH 1.41A mit Ferrit DR-Kern, 0403 Gehäuse 3.2mm / ±20%, 40MHz, Tiefe: 4mm, Durchmesser: 4.5mm, Abmessungen: 4.5 x 4 x 3.2mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 120mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: SDR0403-6R8ML

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Bourns SDR0403 Drosselspule, 0,0068 MH 1.41A Mit Ferrit DR-Kern, 0403 Gehäuse 3.2mm / ±20%, 40MHz

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Specifications of Bourns SDR0403 Drosselspule, 0,0068 MH 1.41A Mit Ferrit DR-Kern, 0403 Gehäuse 3.2mm / ±20%, 40MHz

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Rating :- 9.29 /10
Votes :- 8
Sensata / Crydom Halbleiter-Interfacerelais, 10 A Effektivwert max., DIN-Schienen 15 Vdc min.
  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Relais und Signalaufbereitung
  • Relais
  • Halbleiter-Interfacerelais
  • Sensata / Crydom
    • Infineon S25FL Flash-Speicher 64MBit, 8M x 8 Bit, SPI, 8ns, SOIC, 8-Pin, 2,7 V bis 3,6 V

    Infineon S25FL Flash-Speicher 64MBit, 8M x 8 Bit, SPI, 8ns, SOIC, 8-Pin, 2,7 V bis 3,6 V

    9mm, Automobilstandard: AEC-Q100, MPN: S25FL064LABMFV013.Infineon S25FL Flash-Speicher 64MBit, 8M x 8 Bit, SPI, 8ns, SOIC, 8-Pin, 2,7 V bis 3,6 V, Montage-Typ: SMD, Zellen-Typ: NOR, Block-Organisation: Symmetrisch, Länge: 5.9mm, Abmessungen: 5.

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  • Halbleiter
  • Speicherbausteine
  • Flash-Speicher
  • Infineon
    • Panasonic ERJP08,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 2.2kΩ ±1% / 0.66W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    Panasonic ERJP08,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 2.2kΩ ±1% / 0.66W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    Panasonic ERJP08,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 2.66W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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  • Panasonic
    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 30kΩ ±0.1% / 0.063W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 30kΩ ±0.1% / 0.063W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 30kΩ ±0.063W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +125°C, MPN: CPF0603B30KE.1% / 0.

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  • TE Connectivity
    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 30kΩ ±0.1% / 0.063W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 30kΩ ±0.1% / 0.063W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    : +125°C, MPN: CPF0603B30KE.1% / 0.TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 30kΩ ±0.

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