IXYS HiperFET, Polar IXFN102N30P N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227
About The : 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.IXYS HiperFET, Polar IXFN102N30P N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227, Gehäusegröße: SOT-227B, Montage-Typ: Frontplattenmontage, Drain-Source-Widerstand max
IXYS HiperFET, Polar IXFN102N30P N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227, Gehäusegröße: SOT-227B, Montage-Typ: Frontplattenmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.6mm, Länge: 38.23mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar IXFN102N30P N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227
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Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFN102N30P N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227 | |
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