Infineon OptiMOS 3 BSC020N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 2,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +20 V, Länge: 5.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon OptiMOS 3 BSC020N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSC020N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON | |
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