Onsemi RFD16N06LESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 16 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +10 V, Höhe: 2
onsemi RFD16N06LESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 16 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 47 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +10 V, Höhe: 2.39mm, Länge: 6.73mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi RFD16N06LESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 16 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi RFD16N06LESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 16 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
