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Onsemi THT Gleichrichter Diode, 200V / 1A, 2-Pin DO-41

About The onsemi THT Gleichrichter Diode, 200V / 1A, 2-Pin DO-41, Diodenkonfiguration: Einfach, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 950mV, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 50ns, Durchmesser: 2.72mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 30A, MPN: EGP10D

onsemi THT Gleichrichter Diode, 200V / 1A, 2-Pin DO-41, Diodenkonfiguration: Einfach, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 950mV, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 50ns, Durchmesser: 2.72mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 30A, MPN: EGP10D

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Specifications of Onsemi THT Gleichrichter Diode, 200V / 1A, 2-Pin DO-41

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Wurth Elektronik LAN-Ethernet-Transformator Durchsteckmontage 1 Ports -1.5dB T.
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    • Finder Relais Monostabiles Relais, Steckrelais 3-poliger Umschalter, 3-poliger Umschalter 10A 60V dc Spule

    Finder Relais Monostabiles Relais, Steckrelais 3-poliger Umschalter, 3-poliger Umschalter 10A 60V dc Spule

    Finder Relais Monostabiles Relais, Steckrelais 3-poliger Umschalter, 3-poliger Umschalter 10A 60V dc Spule, Spulenspannung: 60V dc, Montage Typ: Steckanschluss, Rastend: Nein, MPN: 551390600000.

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    • Thermaltronics Lötspitze 5 mm flach 30° M für MX-500, MX-5000, MX5200, TMT-9000S-1, TMT-9000S-2

    Thermaltronics Lötspitze 5 mm flach 30° M für MX-500, MX-5000, MX5200, TMT-9000S-1, TMT-9000S-2

    Thermaltronics Lötspitze 5 mm flach 30° M für MX-500, MX-5000, MX5200, TMT-9000S-1, TMT-9000S-2, Spitzen-Form: Meißelform, gerade, MPN: M7CH250.

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    • ROHM SCT2450KEGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 10 A, 3-Pin TO-247N

    ROHM SCT2450KEGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 10 A, 3-Pin TO-247N

    : 0,45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.ROHM SCT2450KEGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 10 A, 3-Pin TO-247N, Drain-Source-Widerstand max.

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    • ROHM SCT2450KEGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 10 A, 3-Pin TO-247N

    ROHM SCT2450KEGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 10 A, 3-Pin TO-247N

    ROHM SCT2450KEGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 10 A, 3-Pin TO-247N, Drain-Source-Widerstand max.: 0,45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: SiC.

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