ROHM RU1L002SN RU1L002SNTL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 200 mW, 3-Pin SC-85, SOT-323FL, UMT, Drain-Source-Widerstand max.: 12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 2.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM RU1L002SN RU1L002SNTL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 200 MW, 3-Pin SC-85, SOT-323FL, UMT
Specifications of ROHM RU1L002SN RU1L002SNTL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 200 MW, 3-Pin SC-85, SOT-323FL, UMT | |
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