Nexperia PSMN4R3-30BL,118 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The 5mm.: 5,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Nexperia PSMN4R3-30BL,118 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 5,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.15V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.5mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia PSMN4R3-30BL,118 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Nexperia PSMN4R3-30BL,118 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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