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Infineon HEXFET IRF6636TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 81 A DirectFET ISOMETRISCH

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Infineon HEXFET IRF6636TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 81 A DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0064 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.45V, Transistor-Werkstoff: Silicon

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Infineon HEXFET IRF6636TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 81 A DirectFET ISOMETRISCH

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Specifications of Infineon HEXFET IRF6636TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 81 A DirectFET ISOMETRISCH

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