Infineon CoolMOS IPZ60R017C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 109 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,017 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon CoolMOS IPZ60R017C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 109 A, 4-Pin TO-247-4
Specifications of Infineon CoolMOS IPZ60R017C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 109 A, 4-Pin TO-247-4 | |
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