Onsemi UniFET FDB33N25TM N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 33 A 235 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The onsemi UniFET FDB33N25TM N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 33 A 235 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.67mm
onsemi UniFET FDB33N25TM N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 33 A 235 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 94 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi UniFET FDB33N25TM N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 33 A 235 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Onsemi UniFET FDB33N25TM N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 33 A 235 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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