Infineon OptiMOS 3 IPB036N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7
About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon OptiMOS 3 IPB036N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 3,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 3 IPB036N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7
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Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPB036N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7 | |
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