Vishay E Series SIHG47N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 357 W, 3-Pin TO-247AC
About The Vishay E Series SIHG47N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 357 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: +150 °C
Vishay E Series SIHG47N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 357 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 64 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E Series SIHG47N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 357 W, 3-Pin TO-247AC
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Specifications of Vishay E Series SIHG47N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 357 W, 3-Pin TO-247AC | |
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