Texas Instruments NexFET CSD16301Q2 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5 A 2,3 W, 6-Pin WSON
About The 8mm.: –8 V, +10 V, Höhe: 0
Texas Instruments NexFET CSD16301Q2 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5 A 2,3 W, 6-Pin WSON, Drain-Source-Widerstand max.: 34 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.55V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.9V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +10 V, Höhe: 0.8mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Texas Instruments NexFET CSD16301Q2 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5 A 2,3 W, 6-Pin WSON
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Specifications of Texas Instruments NexFET CSD16301Q2 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5 A 2,3 W, 6-Pin WSON | |
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