Vishay SI1025X-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 135 MA 250 MW, 6-Pin SC-89-6
About The : -20 V, +20 V, Länge: 1.: +150 °C
Vishay SI1025X-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 135 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6, Drain-Source-Widerstand max.: 8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 1.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI1025X-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 135 MA 250 MW, 6-Pin SC-89-6
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Specifications of Vishay SI1025X-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 135 MA 250 MW, 6-Pin SC-89-6 | |
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