reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon CoolSiC IMW65R030M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247

About The : 0,042 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon CoolSiC IMW65R030M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max

Infineon CoolSiC IMW65R030M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,042 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V, Transistor-Werkstoff: Silicon

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolSiC IMW65R030M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon CoolSiC IMW65R030M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon CoolSiC IMW65R030M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247
More Varieties

Rating :- 9.54 /10
Votes :- 8