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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Renesas Electronics

Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 1,5 A 15V 24-Pin SOIC W

About The 35mm, MPN: HIP4086ABZ.6 x 7

Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 1,5 A 15V 24-Pin SOIC W, Anzahl der Ausgänge: 6, Topologie: Dreiphasig, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Independent, Brücken-Typ: 3-phasig, Polarität: Inverting, Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 15.6 x 7.6 x 2.35mm, MPN: HIP4086ABZ

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Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 1,5 A 15V 24-Pin SOIC W

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Specifications of Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 1,5 A 15V 24-Pin SOIC W

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Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 1,5 A 15V 24-Pin SOIC W
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Siemens SENTRON 3VA, Leistungsschalter MCCB 3-polig, 100A / Abschaltvermögen 55 kA 690V, Fest

Siemens SENTRON 3VA, Leistungsschalter MCCB 3-polig, 100A / Abschaltvermögen 55 kA 690V, Fest

Siemens SENTRON 3VA, Leistungsschalter MCCB 3-polig, 100A / Abschaltvermögen 55 kA 690V, Fest, MPN: 3VA2110-5HN32-0AA0.

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    • Mersen NH-Sicherung NH0, 690V ac / 100A, aM DIN 43-620, IEC EN 60269, VDE 0636

    Mersen NH-Sicherung NH0, 690V ac / 100A, aM DIN 43-620, IEC EN 60269, VDE 0636

    Mersen NH-Sicherung NH0, 690V ac / 100A, aM DIN 43-620, IEC EN 60269, VDE 0636, Betriebsspannung: 690V ac, Breite Kontaktklingen: 15mm, Gesamtlänge: 125mm, Gehäuselänge: 68mm, Ausrichtung: Zentriert, Gehäusebreite: 30mm, Gehäusehöhe: 61mm, Sicherungsabmessungen: 68 x 30 x 61mm, MPN: X227881 / NH0AM69V100.

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    • TE Connectivity AMP CT Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 10-polig / 1-reihig, Raster 2.0mm, Kabel-Platine,

    TE Connectivity AMP CT Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 10-polig / 1-reihig, Raster 2.0mm, Kabel-Platine,

    TE Connectivity AMP CT Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 10-polig / 1-reihig, Raster 2.

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    • Infineon IGBT-Transistormodul / 24 A ±20V max.

    Infineon IGBT-Transistormodul / 24 A ±20V max.

    Triple, 600 V 110 W PG-TO-220-3.Triple, 600 V 110 W PG-TO-220-3, MPN: IKP10N60TXKSA1 Infineon IGBT-Transistormodul / 24 A ±20V max.

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