Infineon HEXFET IRFTS8342TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
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Infineon HEXFET IRFTS8342TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 29 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFTS8342TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
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Specifications of Infineon HEXFET IRFTS8342TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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