TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 560 NH 150mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 210MHz
About The .: 550mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max
TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 560 nH 150mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 210MHz, Tiefe: 1.25mm, Höhe: 0.85mm, Abmessungen: 2 x 1.25 x 0.85mm, Gleichstromwiderstand max.: 550mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +85°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: MLF2012DR56KT000
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 560 NH 150mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 210MHz
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
Specifications of TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 560 NH 150mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 210MHz | |
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