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Brady B-427 Self-laminating Vinyl Beschriftungsband Schwarz Für BMP41, BMP51, BMP53 Auf Weiß/Transparent

About The 1mm, Etikettenmenge: 180, MPN: M-91-427.Brady B-427 Self-laminating Vinyl Beschriftungsband Schwarz für BMP41, BMP51, BMP53 auf Weiß/Transparent, Bandbreite: 25,4 mm, Aufkleber-Länge: 38

Brady B-427 Self-laminating Vinyl Beschriftungsband Schwarz für BMP41, BMP51, BMP53 auf Weiß/Transparent, Bandbreite: 25,4 mm, Aufkleber-Länge: 38.1mm, Etikettenmenge: 180, MPN: M-91-427

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Brady B-427 Self-laminating Vinyl Beschriftungsband Schwarz Für BMP41, BMP51, BMP53 Auf Weiß/Transparent

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Specifications of Brady B-427 Self-laminating Vinyl Beschriftungsband Schwarz Für BMP41, BMP51, BMP53 Auf Weiß/Transparent

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Brady B-427 Self-laminating Vinyl Beschriftungsband Schwarz Für BMP41, BMP51, BMP53 Auf Weiß/Transparent
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Siemens SIRIUS Leistungsschütz, 3 -polig 1 Schließer, 1 Öffner, Umkehrend

Siemens SIRIUS Leistungsschütz, 3 -polig 1 Schließer, 1 Öffner, Umkehrend

Siemens SIRIUS Leistungsschütz, 3 -polig 1 Schließer, 1 Öffner, Umkehrend, Leistung: 18,5 kW, MPN: 3RT2028-1BW40.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Schütze und Hilfskontakte
  • Schütze
  • Siemens
    • IXYS HiperFET, Polar IXFH96N15P N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 96 A 480 W, 3-Pin TO-247

    IXYS HiperFET, Polar IXFH96N15P N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 96 A 480 W, 3-Pin TO-247

    : 24 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • MOSFET
  • IXYS
    • Eaton DILM Leistungsschütz / 60 V Spule, 4 -polig 1 NO (Schließer), Umkehrend

    Eaton DILM Leistungsschütz / 60 V Spule, 4 -polig 1 NO (Schließer), Umkehrend

    Eaton DILM Leistungsschütz / 60 V Spule, 4 -polig 1 NO (Schließer), Umkehrend, Leistung: 11 kW, MPN: 109813 DILMP32-10(RDC60).

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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    • onsemi UniFET FDB52N20TM N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    onsemi UniFET FDB52N20TM N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : -30 V, +30 V, Länge: 9.onsemi UniFET FDB52N20TM N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.98mm, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi UniFET FDB52N20TM N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    onsemi UniFET FDB52N20TM N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C.onsemi UniFET FDB52N20TM N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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  • MOSFET
  • onsemi