Infineon HEXFET IRFH5250DTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 X 6
About The .: 2,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET IRFH5250DTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V, Höhe: 0.85mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFH5250DTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 X 6
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Specifications of Infineon HEXFET IRFH5250DTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 X 6 | |
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