IXYS HiperFET, Q3-Class IXFR24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 18 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 490 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 21.34mm, Länge: 16.13mm
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IXYS HiperFET, Q3-Class IXFR24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 18 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247
Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class IXFR24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 18 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247 | |
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