Vishay E SIHG11N80AE-GE3 N-Kanal MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-247AC
About The Vishay E SIHG11N80AE-GE3 N-Kanal MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 2 → 4V
Vishay E SIHG11N80AE-GE3 N-Kanal MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,391 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2 → 4V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E SIHG11N80AE-GE3 N-Kanal MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-247AC
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Specifications of Vishay E SIHG11N80AE-GE3 N-Kanal MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-247AC | |
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