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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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MOSFET
Texas Instruments

Texas Instruments NexFET CSD19531Q5A N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A, 8-Pin VSONP

About The Texas Instruments NexFET CSD19531Q5A N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A, 8-Pin VSONP, Drain-Source-Widerstand max.: 2

Texas Instruments NexFET CSD19531Q5A N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A, 8-Pin VSONP, Drain-Source-Widerstand max.: 6400000 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.7V, Transistor-Werkstoff: Si

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Texas Instruments NexFET CSD19531Q5A N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A, 8-Pin VSONP

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Specifications of Texas Instruments NexFET CSD19531Q5A N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A, 8-Pin VSONP

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STMicroelectronics Displaytreiber SO16 30MHz max., 3,1 → 30 V

STMicroelectronics Displaytreiber SO16 30MHz max., 3,1 → 30 V

: +125°C, Montage Typ: SMD, MPN: STP08CP05MTR.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Displays und Optoelektronik
  • Anzeigemodule
  • Display-Treiber
  • STMicroelectronics
    • Hirose HIF3B Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 50-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Ummantelt

    Hirose HIF3B Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 50-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Ummantelt

    54mm, Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, MPN: 610-0099-4-63.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse
  • Leiterplatten Header
  • Hirose
    • Molex SL Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 4-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,

    Molex SL Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 4-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,

    54mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,, Gehäuseausrichtung: Vertikal, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Messing, Nennstrom: 3A, MPN: 171971-0004.Molex SL Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 4-polig / 1-reihig, Raster 2.

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    • STMicroelectronics TVS-Diode Isoliert 15V, 8-Pin, SMD 2.8V max SOIC

    STMicroelectronics TVS-Diode Isoliert 15V, 8-Pin, SMD 2.8V max SOIC

    : –55 °C, Abmessungen: 5 x 4 x 1.8V max SOIC, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 600W, Impulsspitzen-Strom max.5mm, Betriebstemperatur max.

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  • Suppressordioden TVS
  • STMicroelectronics
    • STMicroelectronics TVS-Diode Isoliert 15V, 8-Pin, SMD 2.8V max SOIC
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