Infineon OptiMOS 3 BSZ050N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 50 W, 8-Pin TSDSON
About The : +150 °C.2V, Gate-Schwellenspannung min
Infineon OptiMOS 3 BSZ050N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 50 W, 8-Pin TSDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 7,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 3 BSZ050N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 50 W, 8-Pin TSDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSZ050N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 50 W, 8-Pin TSDSON | |
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