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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

About The Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W, Drain-Source-Widerstand max.2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQS486CENW-T1_GE3

Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0051 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQS486CENW-T1_GE3

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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

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Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

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