Onsemi NVR1P02G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 MW, 3-Pin SOT-23
About The : 2.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
onsemi NVR1P02G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NVR1P02T1G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NVR1P02G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Onsemi NVR1P02G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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