Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 200 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)
About The .Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 200 A, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max
Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 200 A, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,00099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SUM40014M-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 200 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 200 A, 7-Pin D2PAK (TO-263) | |
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