ROHM EM6K6 EM6K6T2R N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 300 MA 150 MW, 6-Pin SOT-563
About The ROHM EM6K6 EM6K6T2R N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 300 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
ROHM EM6K6 EM6K6T2R N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 300 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 1.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM EM6K6 EM6K6T2R N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 300 MA 150 MW, 6-Pin SOT-563
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