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EPCOS SIMID Drosselspule, 680 μH 210mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 2.3MHz

About The EPCOS SIMID Drosselspule, 680 μH 210mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 2

EPCOS SIMID Drosselspule, 680 μH 210mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 2.3MHz, Tiefe: 5mm, Abmessungen: 5.6 x 5 x 5mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 5.87Ω, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: B82442T1684K000

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Specifications of EPCOS SIMID Drosselspule, 680 μH 210mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 2.3MHz

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    • RS PRO ESD Beutel Pink, Stärke 0.075mm x 460mm x 630mm, 20 Stück

    RS PRO ESD Beutel Pink, Stärke 0.075mm x 460mm x 630mm, 20 Stück

    075mm x 460mm x 630mm, 20 Stück, Verpackungstyp: Antistatischer Beutel mit Seitenfalte, Breite: 460 mm, 610mm, Ableitend: Nein, Verschlussart: Heißsiegel, Gemäß EN 61340-5-1: Ja.

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    Infineon CoolMOS P7 IPU95R2K0P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 950 V / 4 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

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    : 679mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: B82442T1563K000.EPCOS SIMID Drosselspule, 56 μH 600mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.5MHz, Tiefe: 5mm, Abmessungen: 5.

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    EPCOS SIMID Drosselspule, 56 μH 600mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.5MHz, Tiefe: 5mm, Abmessungen: 5.6 x 5 x 5mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.

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