Toshiba 2SK 2SK4017(Q) N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2
About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Toshiba 2SK 2SK4017(Q) N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2, Drain-Source-Widerstand max
Toshiba 2SK 2SK4017(Q) N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba 2SK 2SK4017(Q) N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2
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Specifications of Toshiba 2SK 2SK4017(Q) N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2 | |
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