ROHM RUC002N05 RUC002N05T116 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 350 MW, 3-Pin SOT-323
About The : 0.: 7,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
ROHM RUC002N05 RUC002N05T116 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 7,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RUC002N05 RUC002N05T116 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 350 MW, 3-Pin SOT-323
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Specifications of ROHM RUC002N05 RUC002N05T116 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 350 MW, 3-Pin SOT-323 | |
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