Onsemi RFD3055LESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : –16 V, +16 V, Höhe: 2.: 107 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
onsemi RFD3055LESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 107 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Höhe: 2.39mm, Länge: 6.73mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi RFD3055LESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Onsemi RFD3055LESM9A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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