Infineon OptiMOS BSZ100N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
About The : 0,001 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.3V
Infineon OptiMOS BSZ100N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,001 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS BSZ100N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
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Specifications of Infineon OptiMOS BSZ100N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3 | |
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