Taiwan Semiconductor TSM10NC60CF C0G N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 10 A 45 W, 3-Pin ITO-220
About The : 750 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2
Taiwan Semiconductor TSM10NC60CF C0G N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 10 A 45 W, 3-Pin ITO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 750 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Taiwan Semiconductor TSM10NC60CF C0G N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 10 A 45 W, 3-Pin ITO-220
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Specifications of Taiwan Semiconductor TSM10NC60CF C0G N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 10 A 45 W, 3-Pin ITO-220 | |
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