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Infineon IPD5N25S3430ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 5 A, 3-Pin TO-252

About The Infineon IPD5N25S3430ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 5 A, 3-Pin TO-252

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Specifications of Infineon IPD5N25S3430ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 5 A, 3-Pin TO-252

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Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand ± 0.1% / 0.4W, 1206 (3216M) Gehäuse
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    Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand ± 0.1% / 0.4W, 1206 (3216M) Gehäuse

    4W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: TNPW120620K0BEEA.Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand ± 0.1% / 0.

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    Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand ± 0.4W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: TNPW120622K0BEEA.1% / 0.

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    3mm, 4-polig / 2-reihig Gerade, Kabelmontage für Grace, Zur Verwendung mit: Grace Inertia Steckverbinder 3.TE Connectivity Grace Inertia Steckverbindergehäuse Stecker 3.

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    3mm, 4-polig / 2-reihig Gerade, Kabelmontage für Grace, Zur Verwendung mit: Grace Inertia Steckverbinder 3.3, Länge: 9mm, Breite: 12mm, Gehäusematerial: Nylon, MPN: 4-1971905-2.TE Connectivity Grace Inertia Steckverbindergehäuse Stecker 3.

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