Vishay SQ Rugged SQD19P06-60L_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The 73mm, Betriebstemperatur max.: 1
Vishay SQ Rugged SQD19P06-60L_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SQ Rugged SQD19P06-60L_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Vishay SQ Rugged SQD19P06-60L_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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