STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP2N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2 A 45 W, 3-Pin TO-220
About The : 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP2N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2 A 45 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP2N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2 A 45 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 15.75mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP2N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2 A 45 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP2N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2 A 45 W, 3-Pin TO-220 | |
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